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    Samsung apunta a impulsar la IA en el dispositivo con LPDDR5X DRAM

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    Samsung ha presentado la primera DRAM LPDDR5X de la industria con velocidades de hasta 10,7 gigabits por segundo (Gbps), estableciendo un nuevo punto de referencia para la industria.

    Logrado mediante el uso de tecnolog铆a de proceso de vanguardia de 12 nan贸metros (nm), Samsung no solo ha logrado las m茅tricas de rendimiento m谩s altas sino tambi茅n el tama帽o de chip m谩s peque帽o entre las ofertas existentes de doble velocidad de datos de baja potencia (LPDDR).

    YongCheol Bae, vicepresidente ejecutivo de planificaci贸n de productos de memoria de Samsung, coment贸: 鈥淎 medida que aumenta la demanda de memoria de bajo consumo y alto rendimiento, se espera que LPDDR DRAM expanda sus aplicaciones principalmente m贸viles a otras 谩reas que tradicionalmente requieren mayor rendimiento y confiabilidad, como como PC, aceleradores, servidores y autom贸viles鈥.

    Bae asegur贸 adem谩s que Samsung est谩 comprometido a continuar su trayectoria de innovaci贸n, centr谩ndose en ofrecer productos adaptados a la pr贸xima era de la IA en los dispositivos a trav茅s de colaboraciones estrat茅gicas con socios.

    Las capacidades de IA en los dispositivos se est谩n convirtiendo cada vez m谩s en una consideraci贸n fundamental. Este cambio acent煤a la necesidad de soluciones de memoria como LPDDR que sean a la vez de bajo consumo de energ铆a y alto rendimiento.

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    El nuevo LPDDR5X de 10,7 Gbps de Samsung no solo ofrece un aumento de rendimiento de m谩s del 25 por ciento y un aumento de capacidad de m谩s del 30 por ciento en comparaci贸n con su predecesor, sino que tambi茅n satisface las demandas cambiantes de la IA en el dispositivo con su soluci贸n 贸ptima para alta requisitos de memoria de capacidad, alto rendimiento y eficiencia energ茅tica. La capacidad del paquete 煤nico de DRAM m贸vil se ha ampliado hasta 32 gigabytes, lo que marca un hito importante para las aplicaciones de IA m贸viles y en dispositivos.

    Adem谩s, el LPDDR5X incorpora tecnolog铆as avanzadas de ahorro de energ铆a, incluida una variaci贸n de energ铆a optimizada que ajusta din谩micamente el uso de energ铆a seg煤n la carga de trabajo e intervalos ampliados de modo de bajo consumo para facilitar per铆odos prolongados de ahorro de energ铆a. Estas mejoras en conjunto mejoran la eficiencia energ茅tica en un 25 por ciento con respecto a la generaci贸n anterior, lo que permite no s贸lo una mayor duraci贸n de la bater铆a para los dispositivos m贸viles sino tambi茅n un menor consumo de energ铆a para los servidores, reduciendo as铆 el costo total de propiedad.

    Samsung anticipa el comienzo de la producci贸n en masa del LPDDR5X de 10,7 Gbps para el segundo semestre de 2024, luego de procesos de verificaci贸n integrales con procesadores de aplicaciones m贸viles (AP) y fabricantes de dispositivos m贸viles.

    (Credito de imagen: Samsung)

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    Etiquetas: ai, inteligencia artificial, dram, LPDDR5X, ai en el dispositivo, Samsung

    Fuente: Samsung apunta a impulsar la IA en el dispositivo con LPDDR5X DRAM

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